Антава

NTE ELECTRONICS

Транзистор NTE2919

NTE2919
Type of transistor
P-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-60V
Drain current
-20A
Pulsed drain current
-80A
Power dissipation
25W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяNTE2919
ПроизводительNTE ELECTRONICS
Type of transistorP-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-60V
Drain current-20A
Pulsed drain current-80A
Power dissipation25W
КорпусTO220F
Gate-source voltage±20V
On-state resistance92mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Kind of channelenhancement
VersionESD
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -20A; Idm: -80A; 25W; TO220F

Документация

Документ производителя