Антава

ONSEMI

Транзистор NTD600N80S3Z

NTD600N80S3Z
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
800 V
Drain current
5 A
Pulsed drain current
21 A
Power dissipation
60 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяNTD600N80S3Z
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage800 V
Drain current5 A
Pulsed drain current21 A
Power dissipation60 W
КорпусDPAK
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance0.55 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge15.5nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 5A; Idm: 21A; 60W; DPAK

Документация

Документы пока не предоставлены.