ONSEMI
Транзистор NTD2955T4G
- Type of transistor
- P-MOSFET
- Polarisation
- unipolar
- Drain-source voltage
- -60 V
- Drain current
- -12 A
- Pulsed drain current
- -18 A
- Power dissipation
- 55 W
Фото справочное.
Цена и заказ
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 1 862 шт.
Цена и наличие обновляются Данные на
Последняя цена / шт. · с НДС 22%370,40 ₽
Сумма · с НДС 22%370,40 ₽
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 1 | 370,40 ₽ | |
| от 10 | 180,45 ₽ | |
| от 50 | 158,42 ₽ | |
| от 100 | 149,49 ₽ | |
| от 250 | 137,52 ₽ | |
| от 500 | 128,22 ₽ | |
| от 1000 | 117,96 ₽ | |
| от 2500 | 105,23 ₽ | |
| от 5000 | 96,11 ₽ | |
| от 7500 | 90,80 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | NTD2955T4G |
|---|---|
| Производитель | ONSEMI |
| Type of transistor | P-MOSFET |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | -60 V |
| Drain current | -12 A |
| Pulsed drain current | -18 A |
| Power dissipation | 55 W |
| Корпус | DPAK |
| Gate-source voltage | ±20 V |
| On-state resistance | 0.18 Ω |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Gate charge | 15nC |
| Kind of package | reel, tape |
| Kind of channel | enhancement |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -12A; Idm: -18A; 55W; DPAK
Документация
Документы пока не предоставлены.
Корзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.