Антава

ONSEMI

Транзистор NTD250N65S3H

NTD250N65S3H
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
650 V
Drain current
13 A
Pulsed drain current
36 A
Рассеиваемая мощность
106 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяNTD250N65S3H
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage650 V
Drain current13 A
Pulsed drain current36 A
Рассеиваемая мощность106 W
КорпусDPAK
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance0.25 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge24nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 13A; Idm: 36A; 106W; DPAK

Документация

Документы пока не предоставлены.