ONSEMI
Транзистор NTD20P06LT4G
- Type of transistor
- P-MOSFET
- Polarisation
- unipolar
- Drain-source voltage
- -60 V
- Drain current
- -15.5 A
- Рассеиваемая мощность
- 65 W
- Корпус
- DPAK
Фото справочное.
Цена и предложение
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 1 942 шт.
Срок: 6–7 недель Данные на
Цена / шт. · с НДС 22%315,85 ₽
Сумма · с НДС 22%315,85 ₽
Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 1 | 315,85 ₽ | |
| от 5 | 201,06 ₽ | |
| от 10 | 176,70 ₽ | |
| от 20 | 157,20 ₽ | |
| от 50 | 136,45 ₽ | |
| от 100 | 123,63 ₽ | |
| от 200 | 112,44 ₽ | |
| от 500 | 99,99 ₽ | |
| от 1000 | 92,23 ₽ | |
| от 2500 | 83,38 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | NTD20P06LT4G |
|---|---|
| Производитель | ONSEMI |
| Type of transistor | P-MOSFET |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | -60 V |
| Drain current | -15.5 A |
| Рассеиваемая мощность | 65 W |
| Корпус | DPAK |
| Gate-source voltage | ±20 V |
| On-state resistance | 0.13 Ω |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Gate charge | 26nC |
| Kind of package | reel, tape |
| Kind of channel | enhancement |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -15.5A; 65W; DPAK
Документация
Документ производителяКорзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.