ONSEMI
Транзистор NTD20N06T4G
- Type of transistor
- N-MOSFET
- Polarisation
- unipolar
- Drain-source voltage
- 60 V
- Drain current
- 10 A
- Pulsed drain current
- 60 A
- Power dissipation
- 60 W
Фото справочное.
Цена и заказ
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 2 474 шт.
Срок: 6–7 недель Данные на
Цена / шт. · с НДС 22%292,84 ₽
Сумма · с НДС 22%292,84 ₽
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 1 | 292,84 ₽ | |
| от 5 | 258,16 ₽ | |
| от 10 | 244,67 ₽ | |
| от 50 | 200,36 ₽ | |
| от 100 | 184,95 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | NTD20N06T4G |
|---|---|
| Производитель | ONSEMI |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | 60 V |
| Drain current | 10 A |
| Pulsed drain current | 60 A |
| Power dissipation | 60 W |
| Корпус | DPAK |
| Gate-source voltage | ±20 V |
| On-state resistance | 37.5 mΩ |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Gate charge | 21.2nC |
| Kind of package | reel, tape |
| Kind of channel | enhancement |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 10A; Idm: 60A; 60W; DPAK
Документация
Документы пока не предоставлены.
Корзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.