Антава

ONSEMI

Транзистор NTD14N03RT4G

NTD14N03RT4G
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
25V
Drain current
2.5A
Pulsed drain current
28A
Power dissipation
20.8W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяNTD14N03RT4G
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage25V
Drain current2.5A
Pulsed drain current28A
Power dissipation20.8W
КорпусDPAK
Gate-source voltage±20V
On-state resistance0.117Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge1.8nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 2.5A; Idm: 28A; 20.8W; DPAK

Документация

Документы пока не предоставлены.