Антава

ONSEMI

Транзистор NTBS9D0N10MC

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100V
Drain current
60A
Pulsed drain current
239A
Power dissipation
68W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяNTBS9D0N10MC
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100V
Drain current60A
Pulsed drain current239A
Power dissipation68W
КорпусD2PAK-3
Gate-source voltage±20V
On-state resistance9mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge23nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 60A; Idm: 239A; 68W; D2PAK-3

Документация

Документы пока не предоставлены.