ONSEMI

Транзистор NTBLS1D7N10MCTXG

H-PSOF8LИзображение корпуса

Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100 V
Drain current: 272 A
Pulsed drain current: 2137 A
Power dissipation: 147 W

Цены и наличие Все характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие

Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену +7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителя	NTBLS1D7N10MCTXG
Производитель	ONSEMI
Type of transistor	N-MOSFET
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	100 V
Drain current	272 A
Pulsed drain current	2137 A
Power dissipation	147 W
Корпус	H-PSOF8L
Gate-source voltage	±20 V
On-state resistance	1.8 mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	115nC
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 272A; Idm: 2137A; 147W

Документация

Документы пока не предоставлены.