Антава

ONSEMI

Транзистор NTBL045N065SC1

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET
Technology
SiC
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
650V
Drain current
51A
Pulsed drain current
182A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяNTBL045N065SC1
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
TechnologySiC
Polarisationunipolar
Drain-source voltage650V
Drain current51A
Pulsed drain current182A
Power dissipation174W
КорпусH-PSOF8L
Gate-source voltage-5...18V
On-state resistance40mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge105nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Features of semiconductor devicesKelvin terminal
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 51A; Idm: 182A; 174W

Документация

Документы пока не предоставлены.