Антава

ONSEMI

Транзистор NTBGS004N10G

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100 V
Drain current
203 A
Power dissipation
340 W
Корпус
D2PAK-7
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяNTBGS004N10G
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100 V
Drain current203 A
Power dissipation340 W
КорпусD2PAK-7
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance4.1 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 203A; 340W; D2PAK-7

Документация

Документы пока не предоставлены.