Антава

ONSEMI

Транзистор NTBG080N120SC1

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET
Technology
SiC
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
1.2kV
Drain current
21A
Pulsed drain current
110A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяNTBG080N120SC1
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
TechnologySiC
Polarisationunipolar
Drain-source voltage1.2kV
Drain current21A
Pulsed drain current110A
Power dissipation89W
КорпусD2PAK-7
Gate-source voltage-5...20V
On-state resistance121mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge56nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Features of semiconductor devicesKelvin terminal
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 21A; Idm: 110A; 89W

Документация

Документы пока не предоставлены.