Антава

ONSEMI

Транзистор NTBG025N065SC1

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET
Technology
SiC
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
650V
Drain current
75A
Pulsed drain current
284A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяNTBG025N065SC1
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
TechnologySiC
Polarisationunipolar
Drain-source voltage650V
Drain current75A
Pulsed drain current284A
Power dissipation197W
КорпусD2PAK-7
Gate-source voltage-5...18V
On-state resistance24mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge164nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Features of semiconductor devicesKelvin terminal
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 75A; Idm: 284A; 197W

Документация

Документы пока не предоставлены.