Антава

ONSEMI

Транзистор NTB6413ANT4G

NTB6413ANT4G
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100 V
Drain current
42 A
Pulsed drain current
178 A
Power dissipation
136 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяNTB6413ANT4G
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100 V
Drain current42 A
Pulsed drain current178 A
Power dissipation136 W
КорпусD2PAK
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance28 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge51nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 42A; Idm: 178A; 136W; D2PAK

Документация

Документы пока не предоставлены.