Антава

ONSEMI

Транзистор NTB6410ANT4G

NTB6410ANT4G
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100V
Drain current
76A
Pulsed drain current
305A
Power dissipation
188W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяNTB6410ANT4G
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100V
Drain current76A
Pulsed drain current305A
Power dissipation188W
КорпусD2PAK
Gate-source voltage±20V
On-state resistance13mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge0.12µC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 76A; Idm: 305A; 188W; D2PAK

Документация

Документы пока не предоставлены.