Антава

ONSEMI

Транзистор NTB25P06T4G

NTB25P06T4G
Type of transistor
P-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-60 V
Drain current
-27.5 A
Power dissipation
120 W
Корпус
D2PAK
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяNTB25P06T4G
ПроизводительONSEMI
Type of transistorP-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-60 V
Drain current-27.5 A
Power dissipation120 W
КорпусD2PAK
Gate-source voltage±15 V
On-state resistance75 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -27.5A; 120W; D2PAK

Документация

Документы пока не предоставлены.