Антава

ONSEMI

Транзистор NTB150N65S3HF

NTB150N65S3HF
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
650 V
Drain current
24 A
Pulsed drain current
60 A
Power dissipation
192 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяNTB150N65S3HF
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage650 V
Drain current24 A
Pulsed drain current60 A
Power dissipation192 W
КорпусD2PAK
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance0.15 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge43nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 24A; Idm: 60A; 192W; D2PAK

Документация

Документы пока не предоставлены.