ONSEMI

Транзистор NTA4151PT1G

Фото уточняется

Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.76A
Power dissipation: 0.301W
Корпус: SC75

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителя	NTA4151PT1G
Производитель	ONSEMI
Type of transistor	P-MOSFET
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	-20V
Drain current	-0.76A
Power dissipation	0.301W
Корпус	SC75
Gate-source voltage	±6V
On-state resistance	0.36Ω
Монтаж	SMD — поверхностный
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.76A; 0.301W; SC75

Документация

Документы пока не предоставлены.