Антава

ONSEMI

Транзистор NSVMUN5312DW1T2G

NSVMUN5312DW1T2G
Type of transistor
NPN / PNP
Polarisation
bipolar
Kind of transistor
BRT, complementary pair
Collector-emitter voltage
50 V
Collector current
0.1 A
Рассеиваемая мощность
0.385 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяNSVMUN5312DW1T2G
ПроизводительONSEMI
Type of transistorNPN / PNP
Polarisationbipolar
Kind of transistorBRT, complementary pair
Collector-emitter voltage50 V
Collector current0.1 A
Рассеиваемая мощность0.385 W
КорпусSC70-6, SC88, SOT363
Current gain60...100
МонтажSMD — поверхностный
Kind of packagereel, tape
Base resistor22 kΩ
Applicationautomotive industry
Base-emitter resistor22 kΩ
Manufacturer standard package3000pcs.
Исходное описание поставщика

Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V

Документация

Документы пока не предоставлены.