Антава

ONSEMI

Транзистор NSVMMBT5551M3T5G

Type of transistor
NPN
Polarisation
bipolar
Collector-emitter voltage
160 V
Collector current
60 mA
Power dissipation
0.64 W
Корпус
SOT723
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяNSVMMBT5551M3T5G
ПроизводительONSEMI
Type of transistorNPN
Polarisationbipolar
Collector-emitter voltage160 V
Collector current60 mA
Power dissipation0.64 W
КорпусSOT723
Current gain80...250
МонтажSMD — поверхностный
Kind of packagereel, tape
Applicationautomotive industry
Исходное описание поставщика

Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.06A; 0.64W; SOT723

Документация

Документы пока не предоставлены.