ONSEMI
Транзистор NSVJ5908DSG5T1G
MCPH5Изображение корпуса
- Type of transistor
- N-JFET
- Polarisation
- unipolar
- Drain-source voltage
- 15 V
- Drain current
- 10 mA
- Рассеиваемая мощность
- 0.3 W
- Корпус
- MCPH5
Добавим фотографию после подтверждения источника.
Цена и предложение
Обновить наличиеЦена / шт.По запросу
Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.
Характеристики
| Артикул производителя | NSVJ5908DSG5T1G |
|---|---|
| Производитель | ONSEMI |
| Type of transistor | N-JFET |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | 15 V |
| Drain current | 10 mA |
| Рассеиваемая мощность | 0.3 W |
| Корпус | MCPH5 |
| Gate-source voltage | -15 V |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Kind of package | reel, tape |
| Semiconductor structure | common source |
| Application | automotive industry |
| Gate current | 10 mA |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: N-JFET; unipolar; 15V; 10mA; 0.3W; MCPH5; common source
Документация
Документы пока не предоставлены.
Корзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.