ONSEMI
Транзистор NSVEMT1DXV6T1G
- Type of transistor
- PNP x2
- Polarisation
- bipolar
- Collector-emitter voltage
- 60 V
- Collector current
- 0.1 A
- Power dissipation
- 0.357 W
- Корпус
- SOT563
Фото справочное.
Цена и заказ
Обновить наличиеЦена / шт.По запросу
Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.
Характеристики
| Артикул производителя | NSVEMT1DXV6T1G |
|---|---|
| Производитель | ONSEMI |
| Type of transistor | PNP x2 |
| Polarisation | bipolar |
| Collector-emitter voltage | 60 V |
| Collector current | 0.1 A |
| Power dissipation | 0.357 W |
| Корпус | SOT563 |
| Current gain | 120...560 |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Kind of package | reel, tape |
| Application | automotive industry |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: PNP x2; bipolar; 60V; 0.1A; 0.357W; SOT563
Документация
Документы пока не предоставлены.
Корзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.