Антава

ONSEMI

Транзистор NSS40300DDR2G

NSS40300DDR2G
Type of transistor
PNP x2
Polarisation
bipolar
Collector-emitter voltage
40 V
Collector current
3 A
Рассеиваемая мощность
0.576 W
Корпус
SO8
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяNSS40300DDR2G
ПроизводительONSEMI
Type of transistorPNP x2
Polarisationbipolar
Collector-emitter voltage40 V
Collector current3 A
Рассеиваемая мощность0.576 W
КорпусSO8
Current gain220 A
МонтажSMD — поверхностный
Kind of packagereel, tape
Частота100 MHz
Applicationautomotive industry
Исходное описание поставщика

Transistor: PNP x2; bipolar; 40V; 3A; 0.576W; SO8

Документация

Документы пока не предоставлены.