Антава

ONSEMI

Транзистор NSS20101JT1G

Type of transistor
NPN
Polarisation
bipolar
Collector-emitter voltage
20 V
Collector current
1 A
Power dissipation
0.3 W
Корпус
SC89
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяNSS20101JT1G
ПроизводительONSEMI
Type of transistorNPN
Polarisationbipolar
Collector-emitter voltage20 V
Collector current1 A
Power dissipation0.3 W
КорпусSC89
МонтажSMD — поверхностный
Kind of packagereel, tape
Частота350 MHz
Исходное описание поставщика

Transistor: NPN; bipolar; 20V; 1A; 0.3W; SC89

Документация

Документы пока не предоставлены.