Антава

ONSEMI

Диод NSPM8181MUTBG

Фото уточняется
Type of diode
TVS
Peak pulse power dissipation
3 kW
Max. off-state voltage
18 V
Breakdown voltage
20 V
Max. forward impulse current
100 A
Semiconductor structure
unidirectional
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 3 000 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%33,77 ₽

Сумма · с НДС 22%101 310,00 ₽

От 3000 шт. · шаг 3000

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 300033,77 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяNSPM8181MUTBG
ПроизводительONSEMI
Type of diodeTVS
Peak pulse power dissipation3 kW
Max. off-state voltage18 V
Breakdown voltage20 V
Max. forward impulse current100 A
Semiconductor structureunidirectional
МонтажSMD — поверхностный
Leakage current1 µA
Number of channels1
Ёмкость1 nF
Рабочая температура-55...125 °C
Исходное описание поставщика

Diode: TVS; 3kW; 20V; 100A; unidirectional; Ch: 1; 1nF; -55÷125°C

Документация

Документы пока не предоставлены.