Антава

NEXPERIA

Транзистор NSF080120L3A0Q

NSF080120L3A0Q
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
SiC
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
1.2 kV
Drain current
25 A
Pulsed drain current
80 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяNSF080120L3A0Q
ПроизводительNEXPERIA
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияSiC
Polarisationunipolar
Drain-source voltage1.2 kV
Drain current25 A
Pulsed drain current80 A
Power dissipation183 W
КорпусTO247-3
Gate-source voltage-10...22 V
On-state resistance0.12 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge52nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 25A; Idm: 80A; 183W

Документация

Документ производителя