Антава

NEXPERIA

Транзистор NSF040120L3A0Q

NSF040120L3A0Q
Type of transistor
N-MOSFET
Technology
SiC
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
1.2kV
Drain current
46A
Pulsed drain current
160A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяNSF040120L3A0Q
ПроизводительNEXPERIA
Type of transistorN-MOSFET
TechnologySiC
Polarisationunipolar
Drain-source voltage1.2kV
Drain current46A
Pulsed drain current160A
Power dissipation313W
КорпусTO247-3
Gate-source voltage-10...22V
On-state resistance60mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge95nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 46A; Idm: 160A; 313W

Документация

Документ производителя