Антава

ONSEMI

Резистор NSBA123EDXV6T1G

NSBA123EDXV6T1G
Type of transistor
PNP x2
Polarisation
bipolar
Kind of transistor
BRT
Collector-emitter voltage
50 V
Collector current
0.1 A
Power dissipation
0.5 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяNSBA123EDXV6T1G
ПроизводительONSEMI
Type of transistorPNP x2
Polarisationbipolar
Kind of transistorBRT
Collector-emitter voltage50 V
Collector current0.1 A
Power dissipation0.5 W
КорпусSOT563
Current gain8...15
МонтажSMD — поверхностный
Kind of packagereel, tape
Base resistor2.2 kΩ
Base-emitter resistor2.2 kΩ
Manufacturer standard package4000pcs.
Исходное описание поставщика

Transistor: PNP x2; bipolar; BRT; 50V; 100mA; 500mW; SOT563

Документация

Документы пока не предоставлены.