Антава

VISHAY

Диод NSB8MT-M3/I

NSB8MT-M3/I
Type of diode
rectifying
Монтаж
SMD — поверхностный
Max. off-state voltage
1 kV
Load current
8 A
Semiconductor structure
single diode
Features of semiconductor devices
glass passivated
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяNSB8MT-M3/I
ПроизводительVISHAY
Type of dioderectifying
МонтажSMD — поверхностный
Max. off-state voltage1 kV
Load current8 A
Semiconductor structuresingle diode
Features of semiconductor devicesglass passivated
КорпусD2PAK, TO263AB
Max. forward voltage1.1 V
Max. forward impulse current125 A
Исходное описание поставщика

Diode: rectifying; SMD; 1kV; 8A; D2PAK,TO263AB; Ufmax: 1.1V

Документация

Документы пока не предоставлены.