Антава

ONSEMI

Транзистор NJVMJD253T4G

NJVMJD253T4G
Type of transistor
PNP
Polarisation
bipolar
Collector-emitter voltage
100 V
Collector current
4 A
Power dissipation
12.5 W
Корпус
DPAK
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяNJVMJD253T4G
ПроизводительONSEMI
Type of transistorPNP
Polarisationbipolar
Collector-emitter voltage100 V
Collector current4 A
Power dissipation12.5 W
КорпусDPAK
Current gain40...180
МонтажSMD — поверхностный
Kind of packagereel, tape
Частота40 MHz
Applicationautomotive industry
Исходное описание поставщика

Transistor: PNP; bipolar; 100V; 4A; 12.5W; DPAK

Документация

Документы пока не предоставлены.