Антава

ONSEMI

Транзистор NGTB50N65FL2WG

Фото уточняется
Type of transistor
IGBT
Collector-emitter voltage
650 V
Collector current
50 A
Power dissipation
208 W
Корпус
TO247-3
Gate-emitter voltage
±20 V
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяNGTB50N65FL2WG
ПроизводительONSEMI
Type of transistorIGBT
Collector-emitter voltage650 V
Collector current50 A
Power dissipation208 W
КорпусTO247-3
Gate-emitter voltage±20 V
Pulsed collector current200 A
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge0.22µC
Kind of packagetube
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; 650V; 50A; 208W; TO247-3

Документация

Документы пока не предоставлены.