Антава

ONSEMI

Транзистор NGTB40N65FL2WG

Фото уточняется
Type of transistor
IGBT
Collector-emitter voltage
650 V
Collector current
40 A
Power dissipation
183 W
Корпус
TO247-3
Gate-emitter voltage
±20 V
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяNGTB40N65FL2WG
ПроизводительONSEMI
Type of transistorIGBT
Collector-emitter voltage650 V
Collector current40 A
Power dissipation183 W
КорпусTO247-3
Gate-emitter voltage±20 V
Pulsed collector current160 A
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge170nC
Kind of packagetube
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; 650V; 40A; 183W; TO247-3

Документация

Документы пока не предоставлены.