Антава

ONSEMI

Транзистор NGTB35N65FL2WG

NGTB35N65FL2WG
Type of transistor
IGBT
Collector-emitter voltage
650 V
Collector current
35 A
Power dissipation
150 W
Корпус
TO247-3
Gate-emitter voltage
±20 V
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 13 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%1 238,47 ₽

Сумма · с НДС 22%1 238,47 ₽

От 1 шт.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 11 238,47 ₽
от 10797,79 ₽
от 20748,40 ₽
от 30733,20 ₽
от 60708,51 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяNGTB35N65FL2WG
ПроизводительONSEMI
Type of transistorIGBT
Collector-emitter voltage650 V
Collector current35 A
Power dissipation150 W
КорпусTO247-3
Gate-emitter voltage±20 V
Pulsed collector current120 A
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge125nC
Kind of packagetube
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; 650V; 35A; 150W; TO247-3

Документация

Документы пока не предоставлены.