Антава

LITTELFUSE

Транзистор NGB8207ABNT4G

NGB8207ABNT4G
Type of transistor
IGBT
Collector-emitter voltage
365 V
Collector current
20 A
Рассеиваемая мощность
165 W
Корпус
D2PAK
Gate-emitter voltage
±15 V
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяNGB8207ABNT4G
ПроизводительLITTELFUSE
Type of transistorIGBT
Collector-emitter voltage365 V
Collector current20 A
Рассеиваемая мощность165 W
КорпусD2PAK
Gate-emitter voltage±15 V
Pulsed collector current50 A
МонтажSMD — поверхностный
Kind of packagereel, tape
Features of semiconductor deviceslogic level
Applicationignition systems
VersionESD
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; 365V; 20A; 165W; D2PAK; Features: logic level

Документация

Документ производителя