Антава

ONSEMI

Транзистор NDT456P

Фото уточняется
Type of transistor
P-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-30 V
Drain current
7.5/-7.5 A
Power dissipation
3 W
Корпус
SOT223-4
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяNDT456P
ПроизводительONSEMI
Type of transistorP-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-30 V
Drain current7.5/-7.5 A
Power dissipation3 W
КорпусSOT223-4
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance30 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge47nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; 7.5/-7.5A; 3W; SOT223-4

Документация

Документы пока не предоставлены.