Антава

ONSEMI

Транзистор NDS352AP

NDS352AP
Type of transistor
P-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-30 V
Drain current
-0.9 A
Power dissipation
0.5 W
Корпус
SuperSOT-3
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 2 809 шт.

Цена и наличие обновляются Данные на

Последняя цена / шт. · с НДС 22%131,01 ₽

Сумма · с НДС 22%131,01 ₽

Проверяем актуальные условия

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1131,01 ₽
от 578,60 ₽
от 1073,02 ₽
от 5060,11 ₽
от 10053,56 ₽
от 25043,54 ₽
от 50038,53 ₽
от 100037,57 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяNDS352AP
ПроизводительONSEMI
Type of transistorP-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-30 V
Drain current-0.9 A
Power dissipation0.5 W
КорпусSuperSOT-3
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance0.7 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge3nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Features of semiconductor deviceslogic level
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -0.9A; 0.5W; SuperSOT-3

Документация

Документ производителя