Антава

ONSEMI

Транзистор NDS332P

NDS332P
Type of transistor
P-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-20V
Drain current
-1A
Power dissipation
0.5W
Корпус
SuperSOT-3
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяNDS332P
ПроизводительONSEMI
Type of transistorP-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-20V
Drain current-1A
Power dissipation0.5W
КорпусSuperSOT-3
Gate-source voltage±8V
On-state resistance0.74Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge5nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Features of semiconductor deviceslogic level
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1A; 0.5W; SuperSOT-3

Документация

Документы пока не предоставлены.