Антава

ONSEMI

Транзистор NDB5060L

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
60V
Drain current
26A
Pulsed drain current
78A
Power dissipation
68W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяNDB5060L
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage60V
Drain current26A
Pulsed drain current78A
Power dissipation68W
КорпусD2PAK-3
Gate-source voltage±16V
On-state resistance50mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge17nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 26A; Idm: 78A; 68W; D2PAK-3

Документация

Документы пока не предоставлены.