Антава

ONSEMI

Транзистор NCP5111DR2G

NCP5111DR2G
Тип микросхемы
driver
Topology
IGBT half-bridge, MOSFET half-bridge
Назначение
gate driver, high-/low-side
Корпус
SO8
Выходной ток
-500...250 mA
Number of channels
2
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяNCP5111DR2G
ПроизводительONSEMI
Тип микросхемыdriver
TopologyIGBT half-bridge, MOSFET half-bridge
Назначениеgate driver, high-/low-side
КорпусSO8
Выходной ток-500...250 mA
Number of channels2
Напряжение питания10...20 V DC
МонтажSMD — поверхностный
Рабочая температура-40...125 °C
Impulse rise time160ns
Pulse fall time75ns
Kind of packagereel, tape
Voltage class600 V
Защитаundervoltage UVP
Исходное описание поставщика

IC: driver; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge; SO8; -500÷250mA

Документация

Документ производителя