Антава

ONSEMI

Транзистор NCP5109BDR2G

NCP5109BDR2G
Тип микросхемы
driver
Topology
IGBT half-bridge, MOSFET half-bridge
Назначение
gate driver, high-side, low-side
Корпус
SO8
Выходной ток
-500...250 mA
Напряжение питания
10...20 V DC
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяNCP5109BDR2G
ПроизводительONSEMI
Тип микросхемыdriver
TopologyIGBT half-bridge, MOSFET half-bridge
Назначениеgate driver, high-side, low-side
КорпусSO8
Выходной ток-500...250 mA
Напряжение питания10...20 V DC
МонтажSMD — поверхностный
Рабочая температура-40...125 °C
Impulse rise time160ns
Pulse fall time75ns
Voltage class200 V
Исходное описание поставщика

IC: driver; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge; SO8; -500÷250mA

Документация

Документы пока не предоставлены.