Антава

ONSEMI

Транзистор NCP1393BDR2G

NCP1393BDR2G
Тип микросхемы
driver
Topology
MOSFET half-bridge
Корпус
SO8
Выходной ток
-1...0.5 A
Напряжение питания
8...17.5 V DC
Монтаж
SMD — поверхностный
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяNCP1393BDR2G
ПроизводительONSEMI
Тип микросхемыdriver
TopologyMOSFET half-bridge
КорпусSO8
Выходной ток-1...0.5 A
Напряжение питания8...17.5 V DC
МонтажSMD — поверхностный
Рабочая температура-40...125 °C
Impulse rise time40ns
Pulse fall time20ns
Voltage class600 V
Исходное описание поставщика

IC: driver; MOSFET half-bridge; SO8; -1A÷500mA; 8÷17.5VDC; 600V

Документация

Документы пока не предоставлены.