Антава

MICROCHIP

Диод MXSMLJ12CAE3/TR

MXSMLJ12CAE3/TR
Type of diode
TVS
Peak pulse power dissipation
3 kW
Max. off-state voltage
12 V
Breakdown voltage
13.3 V
Max. forward impulse current
150.6 A
Semiconductor structure
bidirectional
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяMXSMLJ12CAE3/TR
ПроизводительMICROCHIP
Type of diodeTVS
Peak pulse power dissipation3 kW
Max. off-state voltage12 V
Breakdown voltage13.3 V
Max. forward impulse current150.6 A
Semiconductor structurebidirectional
КорпусDO214AB, SMC
МонтажSMD — поверхностный
Number of channels1
Kind of packagereel, tape
Рабочая температура-65...150 °C
Исходное описание поставщика

Diode: TVS; 3kW; 13.3V; 150.6A; bidirectional; DO214AB,SMC; Ch: 1

Документация

Документы пока не предоставлены.