Антава

MICROCHIP

Диод MXSMLJ100A/TR

MXSMLJ100A/TR
Type of diode
TVS
Peak pulse power dissipation
3 kW
Max. off-state voltage
0.1 kV
Breakdown voltage
111 V
Max. forward impulse current
18.6 A
Semiconductor structure
unidirectional
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяMXSMLJ100A/TR
ПроизводительMICROCHIP
Type of diodeTVS
Peak pulse power dissipation3 kW
Max. off-state voltage0.1 kV
Breakdown voltage111 V
Max. forward impulse current18.6 A
Semiconductor structureunidirectional
КорпусDO214AB, SMC
МонтажSMD — поверхностный
Number of channels1
Kind of packagereel, tape
Рабочая температура-65...150 °C
Исходное описание поставщика

Diode: TVS; 3kW; 111V; 18.6A; unidirectional; DO214AB,SMC; Ch: 1

Документация

Документы пока не предоставлены.