Антава

MICROCHIP

Диод MXSMCJ51A/TR

MXSMCJ51A/TR
Type of diode
TVS
Peak pulse power dissipation
1.5 kW
Max. off-state voltage
51 V
Breakdown voltage
56.7 V
Max. forward impulse current
18.2 A
Semiconductor structure
bidirectional
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяMXSMCJ51A/TR
ПроизводительMICROCHIP
Type of diodeTVS
Peak pulse power dissipation1.5 kW
Max. off-state voltage51 V
Breakdown voltage56.7 V
Max. forward impulse current18.2 A
Semiconductor structurebidirectional
КорпусDO214AB, SMC
МонтажSMD — поверхностный
Number of channels1
Kind of packagereel, tape
Рабочая температура-65...150 °C
Исходное описание поставщика

Diode: TVS; 1.5kW; 56.7V; 18.2A; bidirectional; DO214AB,SMC; Ch: 1

Документация

Документы пока не предоставлены.