Антава

MICROCHIP

Диод MXSMBJSAC8.5E3

MXSMBJSAC8.5E3
Type of diode
TVS
Peak pulse power dissipation
0.5 kW
Max. off-state voltage
8.5 V
Breakdown voltage
9.44 V
Max. forward impulse current
34 A
Semiconductor structure
unidirectional
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяMXSMBJSAC8.5E3
ПроизводительMICROCHIP
Type of diodeTVS
Peak pulse power dissipation0.5 kW
Max. off-state voltage8.5 V
Breakdown voltage9.44 V
Max. forward impulse current34 A
Semiconductor structureunidirectional
КорпусDO214AA, SMB
МонтажSMD — поверхностный
Number of channels1
Ёмкость30 pF
Рабочая температура-65...150 °C
Исходное описание поставщика

Diode: TVS; 0.5kW; 9.44V; 34A; unidirectional; DO214AA,SMB; Ch: 1

Документация

Документы пока не предоставлены.