Антава

VISHAY

Транзистор MXP120A080FL-GE3

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET
Technology
MaxSiC™, SiC
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
1.2kV
Drain current
18A
Pulsed drain current
58A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяMXP120A080FL-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
TechnologyMaxSiC™, SiC
Polarisationunipolar
Drain-source voltage1.2kV
Drain current18A
Pulsed drain current58A
Power dissipation56W
КорпусTO247-4
Gate-source voltage-5...20V
On-state resistance0.175Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge47.3nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Features of semiconductor devicesKelvin terminal
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 18A; Idm: 58A; 56W

Документация

Документ производителя