Антава

VISHAY

Транзистор MXP120A080FE-T1GE3

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
MaxSiC™, SiC
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
1.2 kV
Drain current
19 A
Pulsed drain current
60 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяMXP120A080FE-T1GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияMaxSiC™, SiC
Polarisationunipolar
Drain-source voltage1.2 kV
Drain current19 A
Pulsed drain current60 A
Power dissipation56 W
КорпусTO263-7
Gate-source voltage-5...20 V
On-state resistance0.175 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge47.3nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Features of semiconductor devicesKelvin terminal
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 19A; Idm: 60A; 56W

Документация

Документ производителя