Антава

VISHAY

Транзистор MXP120A045FW-GE3

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET
Technology
MaxSiC™, SiC
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
1.2kV
Drain current
31A
Pulsed drain current
98A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяMXP120A045FW-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
TechnologyMaxSiC™, SiC
Polarisationunipolar
Drain-source voltage1.2kV
Drain current31A
Pulsed drain current98A
Power dissipation91W
КорпусTO247-3
Gate-source voltage-5...20V
On-state resistance99mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge75.6nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 31A; Idm: 98A; 91W

Документация

Документ производителя