Антава

MICROCHIP

Диод MXDA3KP30AE3

Type of diode
TVS
Peak pulse power dissipation
3 kW
Max. off-state voltage
30 V
Breakdown voltage
33.3 V
Semiconductor structure
unidirectional
Монтаж
SMD — поверхностный
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяMXDA3KP30AE3
ПроизводительMICROCHIP
Type of diodeTVS
Peak pulse power dissipation3 kW
Max. off-state voltage30 V
Breakdown voltage33.3 V
Semiconductor structureunidirectional
МонтажSMD — поверхностный
Количество каналов8
СерияMDA
Рабочая температура-55...150 °C
Исходное описание поставщика

Diode: TVS; 3kW; 33.3V; unidirectional; Ch: 8; MDA; -55÷150°C

Документация

Документы пока не предоставлены.