Антава

MICROCHIP

Диод MX1N8160US

Фото уточняется
Type of diode
TVS
Peak pulse power dissipation
0.15 kW
Max. off-state voltage
20 V
Breakdown voltage
22.8 V
Semiconductor structure
unidirectional
Монтаж
SMD — поверхностный
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяMX1N8160US
ПроизводительMICROCHIP
Type of diodeTVS
Peak pulse power dissipation0.15 kW
Max. off-state voltage20 V
Breakdown voltage22.8 V
Semiconductor structureunidirectional
МонтажSMD — поверхностный
Number of channels1
Ёмкость4 pF
Рабочая температура-55...175 °C
Исходное описание поставщика

Diode: TVS; 0.15kW; 22.8V; unidirectional; Ch: 1; 4pF; -55÷175°C

Документация

Документы пока не предоставлены.